18v 45v
Listado 18v 45v
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Atornillador de impacto brushless 18v , viene con 2 baterías de 5 amperios, cargador y maletinoriginal con garantía (nuevo)
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Programable cas latencia9us a 85 ° c restablecido asincrónicopcb: altura mm), doble componente caras5v (v - v) fuente de alimentación) potencia funcionamiento máxima tbd w * ul clasificación 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0º c a 85º c temperatura de almacenamiento -55º c a 100º c garantía: producto 100% nuevo con doce (12) meses de garantía directamente con jd market8us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3 características estándar jedec 1 este documento describe valueram 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, baja tensión, módulo de memoria, basado en componentes fbga ocho 512m x 8 bits8 bancaria interna independienteespecificación cl (idd) 11 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) ns (minlongitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs]esta sodimm 204 pines utiliza los dedos de contacto de oroprogramable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj) tiempo comando (trfcmin) fila active time (trasmin) 35ns (min8 bits pre-fetchel spd se programa con la norma jedec momento ddr latencia del al 1bi-direccional de datos diferencial strobe) actualizar a active / refresh 260ns (minen terminación die usando pin odtfck 800mhz de mb / s / pininterna (auto) de calibración: autocalibración interna a través del pin zq (rzq: 240 ohmios ± 1%)
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9us at 85°c garantía: 36 meseskvr16lsgb 1rxm x 64-bit pc3l- cl-pin sodimm features ? jedec standard 15v (v ~ v) power supply ? vddq = 18us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~ v) ? 800mhz fck for mb/sec/pin ? 8 independent internal bank ? programmable cas latency: ? programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock ? 8-bit pre-fetch ? burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address ?000? only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] ? bi-directional differential data strobe ? internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) ? on die termination using odt pin ? average refresh period 79us at 85°c garantía: 36 meseskvr16lsgb 1rxm x 64-bit pc3l- cl-pin sodimm features ? jedec standard 1
$ 75000
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5v vddspd = 3,0 v a 3,6 v la funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos ddr3l sdram 8 bancos internos velocidades de transferencia de datos: pc3l-, pc3l- bidireccional de datos diferencial strobe 8 bits de solicitud previa longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) es compatible con la corrección de errores ecc y detección on-die termination (odt) sensor de temperatura integrado con el spd este producto está en conformidad con la directiva rohs capacidad 8gb por modulomemoria para servidor pc3l-r 16gb 2x8gb ddr3 ecc registered carcteristicas: fuente de alimentación: vdd = 1,35 v (v a 145v) compatible con los módulos de memoria ddr3 de 1memoria para servidor pc3l-r 16gb 2x8gb ddr3 ecc registered carcteristicas: fuente de alimentación: vdd = 1,35 v (v a 15v vddspd = 3,0 v a 3,6 v la funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos ddr3l sdram 8 bancos internos velocidades de transferencia de datos: pc3l-, pc3l- bidireccional de datos diferencial strobe 8 bits de solicitud previa longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) es compatible con la corrección de errores ecc y detección on-die termination (odt) sensor de temperatura integrado con el spd este producto está en conformidad con la directiva rohs capacidad 8gb por modulo45v) vddq = 1,35 v (v a 1
$ 168900
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Kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components5v (v ~ v) power supply • vddq = 18us at lower than tcase 85°c, 39us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components9us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)the spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of at 1this 240-pin dimm uses gold contact fingersthe electrical and mechanical specifications are as follows: features • jedec standard 15v (v ~ v) • 800mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • 8-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 7
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Referencia 8gb 2rx8 pc3l-s -f3 hmt41gs6bfr8a - pb - n descripción: fuente: https://wwwupdate date remark hmt41gs6bfr8a device operation device operation device operation¿ part file name, update date, remark¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿ part number update date remark ddr3l_device_operation_timing_diagram_computingthese unbuffered ddr3l sdram sodimms are intended for use as main memory when installed in systems such as mobile personal computersupdate date, remark¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿part number speed g h pb rd memoria ram de 8gb nuevas, envió incluido información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidadpdf speed speedspeed¿ part number, speed¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿6v backward compatible with 1technical data sheet technical data sheet technical data sheet¿ part number, rev5v ddr3 memory module 8 internal banks data transfer rates: pc-, pc, pc, pc bi-directional differential data strobe 8 bit pre-fetch burst length (bl) switch on-the-fly: bl 8 or bc (burst chop) 4 on die termination (odt) supported this product is in compliance with the rohs directivepart number speed g h pb rdfeatures power supply: vdd=1memoria ram de 8gb nuevas, envió incluido información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidaddo?vseq=969&cseq=75 hmt41gs6bfr8a sk hynix unbuffered small outline ddr3l sdram dimms (unbuffered small outline double data rate synchronous dram dual in-line memory modules) are low power, high-speed operation memory modules that use ddr3l sdram devicespart number revupdate date remark hmt41gs6bfr8a serial presence detect serial presence detect serial presence detect¿ part number, rev
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