18v 45v

Listado 18v 45v

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  • Este documento describe valueram 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, baja tensión, módulo de memoria, basado en componentes fbga ocho 512m x 8 bits) tiempo comando (trfcmin) fila active time (trasmin) 35ns (minpcb: altura mm), doble componente caraslongitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs]interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través del pin zq (rzq: 240 ohmios ± 1%)8us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 38 bancaria interna independiente) actualizar a active / refresh 260ns (minprogramable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 relojprogramable cas latencia9us a 85 ° c restablecido asincrónico8 bits pre-fetchel spd se programa con la norma jedec momento ddr latencia del al 1en terminación die usando pin odtespecificación cl (idd) 11 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) ns (minbi-direccional de datos diferencial strobefck 800mhz de mb / s / pin) potencia funcionamiento máxima tbd w * ul clasificación 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0º c a 85º c temperatura de almacenamiento -55º c a 100º c   garantía: producto 100% nuevo con doce (12) meses de garantía directamente con jd market5v (v - v) fuente de alimentaciónesta sodimm 204 pines utiliza los dedos de contacto de oro    características estándar jedec 1

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  • 9us at 85°c garantía: 36 meseskvr16lsgb 1rxm x 64-bit pc3l- cl-pin sodimm features ? jedec standard 15v (v ~ v) power supply ? vddq = 18us at lower than tcase 85°c, 3kvr16lsgb 1rxm x 64-bit pc3l- cl-pin sodimm features ? jedec standard 19us at 85°c garantía: 36 meses5v (v ~ v) ? 800mhz fck for mb/sec/pin ? 8 independent internal bank ? programmable cas latency: ? programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock ? 8-bit pre-fetch ? burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address ?000? only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] ? bi-directional differential data strobe ? internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) ? on die termination using odt pin ? average refresh period 7

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  • 45v) compatible con los módulos de memoria ddr3 de 1memoria para servidor pc3l-r 16gb 2x8gb ddr3 ecc registered carcteristicas: fuente de alimentación: vdd = 1,35 v (v a 15v vddspd = 3,0 v a 3,6 v la funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos ddr3l sdram 8 bancos internos velocidades de transferencia de datos: pc3l-, pc3l- bidireccional de datos diferencial strobe 8 bits de solicitud previa longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) es compatible con la corrección de errores ecc y detección on-die termination (odt) sensor de temperatura integrado con el spd este producto está en conformidad con la directiva rohs capacidad 8gb por modulomemoria para servidor pc3l-r 16gb 2x8gb ddr3 ecc registered carcteristicas: fuente de alimentación: vdd = 1,35 v (v a 15v vddspd = 3,0 v a 3,6 v la funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos ddr3l sdram 8 bancos internos velocidades de transferencia de datos: pc3l-, pc3l- bidireccional de datos diferencial strobe 8 bits de solicitud previa longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) es compatible con la corrección de errores ecc y detección on-die termination (odt) sensor de temperatura integrado con el spd este producto está en conformidad con la directiva rohs capacidad 8gb por modulo45v) vddq = 1,35 v (v a 1

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  • 5v (v ~ v) • 800mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • 8-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 7the spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of at 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)the electrical and mechanical specifications are as follows: features • jedec standard 15v (v ~ v) power supply • vddq = 18us at lower than tcase 85°c, 39us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga componentskvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga componentsthis 240-pin dimm uses gold contact fingers

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  • Update date remark hmt41gs6bfr8a serial presence detect serial presence detect serial presence detect¿ part number, revtechnical data sheet technical data sheet technical data sheet¿ part number, revpdf speed speedspeed¿ part number, speed¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿part number speed g h pb rd memoria ram de 8gb nuevas, envió incluido información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidadreferencia 8gb 2rx8 pc3l-s -f3 hmt41gs6bfr8a - pb - n descripción: fuente: https://www6v backward compatible with 1do?vseq=969&cseq=75 hmt41gs6bfr8a sk hynix unbuffered small outline ddr3l sdram dimms (unbuffered small outline double data rate synchronous dram dual in-line memory modules) are low power, high-speed operation memory modules that use ddr3l sdram devicesthese unbuffered ddr3l sdram sodimms are intended for use as main memory when installed in systems such as mobile personal computerspart number rev5v ddr3 memory module 8 internal banks data transfer rates: pc-, pc, pc, pc bi-directional differential data strobe 8 bit pre-fetch burst length (bl) switch on-the-fly: bl 8 or bc (burst chop) 4 on die termination (odt) supported this product is in compliance with the rohs directivepart number speed g h pb rdupdate date remark hmt41gs6bfr8a device operation device operation device operation¿ part file name, update date, remark¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿ part number update date remark ddr3l_device_operation_timing_diagram_computingfeatures power supply: vdd=1update date, remark¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿memoria ram de 8gb nuevas, envió incluido información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidad

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