18v 45v
Listado 18v 45v
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Bogotá (Bogotá)
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5v (v - v) fuente de alimentaciónbi-direccional de datos diferencial strobe) tiempo comando (trfcmin) fila active time (trasmin) 35ns (minel spd se programa con la norma jedec momento ddr latencia del al 1interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través del pin zq (rzq: 240 ohmios ± 1%)) actualizar a active / refresh 260ns (min8 bancaria interna independientelongitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs]8us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3especificación cl (idd) 11 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) ns (minprogramable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 relojesta sodimm 204 pines utiliza los dedos de contacto de oro este documento describe valueram 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, baja tensión, módulo de memoria, basado en componentes fbga ocho 512m x 8 bits) potencia funcionamiento máxima tbd w * ul clasificación 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0º c a 85º c temperatura de almacenamiento -55º c a 100º c garantía: producto 100% nuevo con doce (12) meses de garantía directamente con jd marketprogramable cas latenciapcb: altura mm), doble componente carasfck 800mhz de mb / s / pinen terminación die usando pin odt9us a 85 ° c restablecido asincrónico8 bits pre-fetch características estándar jedec 1
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8us at lower than tcase 85°c, 3kvr16lsgb 1rxm x 64-bit pc3l- cl-pin sodimm features ? jedec standard 19us at 85°c garantía: 36 meseskvr16lsgb 1rxm x 64-bit pc3l- cl-pin sodimm features ? jedec standard 15v (v ~ v) ? 800mhz fck for mb/sec/pin ? 8 independent internal bank ? programmable cas latency: ? programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock ? 8-bit pre-fetch ? burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address ?000? only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] ? bi-directional differential data strobe ? internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) ? on die termination using odt pin ? average refresh period 79us at 85°c garantía: 36 meses5v (v ~ v) power supply ? vddq = 1
$ 75000
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5v vddspd = 3,0 v a 3,6 v la funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos ddr3l sdram 8 bancos internos velocidades de transferencia de datos: pc3l-, pc3l- bidireccional de datos diferencial strobe 8 bits de solicitud previa longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) es compatible con la corrección de errores ecc y detección on-die termination (odt) sensor de temperatura integrado con el spd este producto está en conformidad con la directiva rohs capacidad 8gb por modulo45v) compatible con los módulos de memoria ddr3 de 15v vddspd = 3,0 v a 3,6 v la funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos ddr3l sdram 8 bancos internos velocidades de transferencia de datos: pc3l-, pc3l- bidireccional de datos diferencial strobe 8 bits de solicitud previa longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) es compatible con la corrección de errores ecc y detección on-die termination (odt) sensor de temperatura integrado con el spd este producto está en conformidad con la directiva rohs capacidad 8gb por modulomemoria para servidor pc3l-r 16gb 2x8gb ddr3 ecc registered carcteristicas: fuente de alimentación: vdd = 1,35 v (v a 145v) vddq = 1,35 v (v a 1memoria para servidor pc3l-r 16gb 2x8gb ddr3 ecc registered carcteristicas: fuente de alimentación: vdd = 1,35 v (v a 1
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Kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components8us at lower than tcase 85°c, 39us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components5v (v ~ v) • 800mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • 8-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 7this 240-pin dimm uses gold contact fingersthe electrical and mechanical specifications are as follows: features • jedec standard 15v (v ~ v) power supply • vddq = 1the spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of at 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)
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Part number speed g h pb rd5v ddr3 memory module 8 internal banks data transfer rates: pc-, pc, pc, pc bi-directional differential data strobe 8 bit pre-fetch burst length (bl) switch on-the-fly: bl 8 or bc (burst chop) 4 on die termination (odt) supported this product is in compliance with the rohs directivepart number revupdate date remark hmt41gs6bfr8a device operation device operation device operation¿ part file name, update date, remark¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿ part number update date remark ddr3l_device_operation_timing_diagram_computingfeatures power supply: vdd=1update date, remark¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿memoria ram de 8gb nuevas, envió incluido información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidaddo?vseq=969&cseq=75 hmt41gs6bfr8a sk hynix unbuffered small outline ddr3l sdram dimms (unbuffered small outline double data rate synchronous dram dual in-line memory modules) are low power, high-speed operation memory modules that use ddr3l sdram devices6v backward compatible with 1referencia 8gb 2rx8 pc3l-s -f3 hmt41gs6bfr8a - pb - n descripción: fuente: https://wwwtechnical data sheet technical data sheet technical data sheet¿ part number, revupdate date remark hmt41gs6bfr8a serial presence detect serial presence detect serial presence detect¿ part number, revpdf speed speedspeed¿ part number, speed¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿part number speed g h pb rd memoria ram de 8gb nuevas, envió incluido información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidadthese unbuffered ddr3l sdram sodimms are intended for use as main memory when installed in systems such as mobile personal computers
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