45v
Listado 45v
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Diodo barrera schottky para panel solar y caja de conexion este tipo de diodos es ideal para paneles solares y cajas de conexion voltaje de operacion maxima 45v 15a referencia 15sq045
$ 2000
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Especificación cl (idd) 11 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) ns (minen terminación die usando pin odtbi-direccional de datos diferencial strobeprogramable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj8us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3el spd se programa con la norma jedec momento ddr latencia del al 1longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs]9us a 85 ° c restablecido asincrónico8 bits pre-fetchprogramable cas latencia este documento describe valueram 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, baja tensión, módulo de memoria, basado en componentes fbga ocho 512m x 8 bits8 bancaria interna independiente) actualizar a active / refresh 260ns (min características estándar jedec 1fck 800mhz de mb / s / pininterna (auto) de calibración: autocalibración interna a través del pin zq (rzq: 240 ohmios ± 1%)) tiempo comando (trfcmin) fila active time (trasmin) 35ns (min5v (v - v) fuente de alimentación) potencia funcionamiento máxima tbd w * ul clasificación 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0º c a 85º c temperatura de almacenamiento -55º c a 100º c garantía: producto 100% nuevo con doce (12) meses de garantía directamente con jd marketesta sodimm 204 pines utiliza los dedos de contacto de oropcb: altura mm), doble componente caras
$ 69900
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9us at 85°c garantía: 36 meseskvr16lsgb 1rxm x 64-bit pc3l- cl-pin sodimm features ? jedec standard 19us at 85°c garantía: 36 meseskvr16lsgb 1rxm x 64-bit pc3l- cl-pin sodimm features ? jedec standard 15v (v ~ v) power supply ? vddq = 18us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~ v) ? 800mhz fck for mb/sec/pin ? 8 independent internal bank ? programmable cas latency: ? programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock ? 8-bit pre-fetch ? burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address ?000? only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] ? bi-directional differential data strobe ? internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) ? on die termination using odt pin ? average refresh period 7
$ 75000
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45v) vddq = 1,35 v (v a 15v vddspd = 3,0 v a 3,6 v la funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos ddr3l sdram 8 bancos internos velocidades de transferencia de datos: pc3l-, pc3l- bidireccional de datos diferencial strobe 8 bits de solicitud previa longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) es compatible con la corrección de errores ecc y detección on-die termination (odt) sensor de temperatura integrado con el spd este producto está en conformidad con la directiva rohs capacidad 8gb por modulo45v) compatible con los módulos de memoria ddr3 de 15v vddspd = 3,0 v a 3,6 v la funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos ddr3l sdram 8 bancos internos velocidades de transferencia de datos: pc3l-, pc3l- bidireccional de datos diferencial strobe 8 bits de solicitud previa longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) es compatible con la corrección de errores ecc y detección on-die termination (odt) sensor de temperatura integrado con el spd este producto está en conformidad con la directiva rohs capacidad 8gb por modulomemoria para servidor pc3l-r 16gb 2x8gb ddr3 ecc registered carcteristicas: fuente de alimentación: vdd = 1,35 v (v a 1memoria para servidor pc3l-r 16gb 2x8gb ddr3 ecc registered carcteristicas: fuente de alimentación: vdd = 1,35 v (v a 1
$ 168900
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9us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)the spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of at 1kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components5v (v ~ v) • 800mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • 8-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 7this 240-pin dimm uses gold contact fingersthe electrical and mechanical specifications are as follows: features • jedec standard 15v (v ~ v) power supply • vddq = 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components8us at lower than tcase 85°c, 3
$ 70000
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Part number speed g h pb rdupdate date, remark¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿update date remark hmt41gs6bfr8a device operation device operation device operation¿ part file name, update date, remark¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿ part number update date remark ddr3l_device_operation_timing_diagram_computingmemoria ram de 8gb nuevas, envió incluido información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidadreferencia 8gb 2rx8 pc3l-s -f3 hmt41gs6bfr8a - pb - n descripción: fuente: https://wwwfeatures power supply: vdd=15v ddr3 memory module 8 internal banks data transfer rates: pc-, pc, pc, pc bi-directional differential data strobe 8 bit pre-fetch burst length (bl) switch on-the-fly: bl 8 or bc (burst chop) 4 on die termination (odt) supported this product is in compliance with the rohs directivepart number rev6v backward compatible with 1pdf speed speedspeed¿ part number, speed¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿technical data sheet technical data sheet technical data sheet¿ part number, revupdate date remark hmt41gs6bfr8a serial presence detect serial presence detect serial presence detect¿ part number, revdo?vseq=969&cseq=75 hmt41gs6bfr8a sk hynix unbuffered small outline ddr3l sdram dimms (unbuffered small outline double data rate synchronous dram dual in-line memory modules) are low power, high-speed operation memory modules that use ddr3l sdram devicesthese unbuffered ddr3l sdram sodimms are intended for use as main memory when installed in systems such as mobile personal computerspart number speed g h pb rd memoria ram de 8gb nuevas, envió incluido información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidad
$ 214900
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9us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)2 memorias ddrmhz (4gb) kingston kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga componentsthe spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of at 15v (v ~ v) • 800mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • 8-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 79us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)2 memorias ddrmhz (4gb) kingston kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga componentsthis 240-pin dimm uses gold contact fingersthe electrical and mechanical specifications are as follows: features • jedec standard 15v (v ~ v) power supply • vddq = 18us at lower than tcase 85°c, 3
$ 130000
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Part number speed g h pb rdupdate date, remark¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿update date remark hmt41gs6bfr8a device operation device operation device operation¿ part file name, update date, remark¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿ part number update date remark ddr3l_device_operation_timing_diagram_computingreferencia 8gb 2rx8 pc3l-s -f3 hmt41gs6bfr8a - pb - n descripción: fuente: https://wwwfeatures power supply: vdd=15v ddr3 memory module 8 internal banks data transfer rates: pc-, pc, pc, pc bi-directional differential data strobe 8 bit pre-fetch burst length (bl) switch on-the-fly: bl 8 or bc (burst chop) 4 on die termination (odt) supported this product is in compliance with the rohs directivepart number speed g h pb rd memoria ram de 8gb nuevas, envió incluido hoy !! tenemos una oferta con un descuento ahorre $ con esta oferta limitada valor anterior $ en oferta $ !! ================================ información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidadmemoria ram de 8gb nuevas, envió incluido hoy !! tenemos una oferta con un descuento ahorre $ con esta oferta limitada valor anterior $ en oferta $ !! ================================ información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidadpart number rev6v backward compatible with 1pdf speed speedspeed¿ part number, speed¿ ¿¿¿ ¿ ¿¿¿technical data sheet technical data sheet technical data sheet¿ part number, revupdate date remark hmt41gs6bfr8a serial presence detect serial presence detect serial presence detect¿ part number, revdo?vseq=969&cseq=75 hmt41gs6bfr8a sk hynix unbuffered small outline ddr3l sdram dimms (unbuffered small outline double data rate synchronous dram dual in-line memory modules) are low power, high-speed operation memory modules that use ddr3l sdram devicesthese unbuffered ddr3l sdram sodimms are intended for use as main memory when installed in systems such as mobile personal computers
$ 189000
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Referencia 8gb 2rx8 pc3l-s -f3 hmt41gs6bfr8a - pb - n descripción: fuente: https://wwwfeatures power supply: vdd=1memoria ram de 8gb nuevas, envió incluido hoy !! tenemos una oferta con un descuento ahorre $ con esta oferta limitada valor anterior $ en oferta $ !! ================================ información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidad5v ddr3 memory module 8 internal banks data transfer rates: pc-, pc, pc, pc bi-directional differential data strobe 8 bit pre-fetch speedspeed part number, speed part number speed g h pb rd6v backward compatible with 15v ddr3 memory module 8 internal banks data transfer rates: pc-, pc, pc, pc bi-directional differential data strobe 8 bit pre-fetch speedspeed part number, speed part number speed g h pb rd memoria ram de 8gb nuevas, envió incluido hoy !! tenemos una oferta con un descuento ahorre $ con esta oferta limitada valor anterior $ en oferta $ !! ================================ información del fabricante nota: recuerde validar bien la referencia y que se ajuste a las necesidades del equipo en la compatibilidaddo?vseq=969&cseq=75 hmt41gs6bfr8a sk hynix unbuffered small outline ddr3l sdram dimms (unbuffered small outline double data rate synchronous dram dual in-line memory modules) are low power, high-speed operation memory modules that use ddr3l sdram devicesthese unbuffered ddr3l sdram sodimms are intended for use as main memory when installed in systems such as mobile personal computers
$ 195000
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Esta 204-pin sodimm utiliza dedos de contacto de oro9us a 85 ° c- numero de serie: # kvr16ls11/4 - compatible con: * valueram portatil - descripción * este documento describe valueram de 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (dram síncrona), 1rx8, baja voltaje, módulo de memoria, basado en ocho 512m x 8-bit fbga componentesel spd está programado según el estándar jedec latencia ddr de a 15v (v ~ v) fuente de alimentación *vddq = 1numero de serie: # kvr16ls11/4 - compatible con: * valueram portatil - descripción * este documento describe valueram de 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (dram síncrona), 1rx8, baja voltaje, módulo de memoria, basado en ocho 512m x 8-bit fbga componentes8us a menos de tcase 85 ° c, 3el sistema eléctrico y las especificaciones mecánicas son las siguientes: * caracteristicas *norma jedec 15v (v ~ v) *800mhz fck para mb / seg / pin *8 bancos internos independientes *latencia de cas programable: *latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 *pre-extracción de 8 bits *longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin límite, secuencial con arranque dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4, lo que no permite leer o escribir [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs] *datos diferenciales bidireccionales strobe *auto (calibración interna): calibración interna a través del pin zq (rzq: 240 ohmios ± 1%) *terminación de la matriz con pin odt *periodo de actualización promedio 7
$ 141000
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Características principales tensión de trabajo 145v) capacidad de 8gb bus dimenciones: 256 x x 8 (mm) latencia: 1145v) capacidad de 8gb bus dimenciones: 256 x x 8 (mm) latencia: 11memoria ram adata 8gb bus ddr3 dimm adata continúa liderando la industria en frecuencia y densidad de la dram con estos módulos de memoria de 8gb premier series ddr de una piezahan sido diseñados y fabricados para soportar los requisitos más exigentes de entusiastas y profesionalesla alta densidad de los 8 gb supera situaciones donde hay pocas ranuras dram en la placa base, permitiendo a los usuarios maximizar el potencial del sistema y su rendimientomemoria ram adata 8gb bus ddr3 dimm adata continúa liderando la industria en frecuencia y densidad de la dram con estos módulos de memoria de 8gb premier series ddr de una pieza
$ 139900
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Memoria ram para pc adata 8gb ddr3l han sido diseñados y fabricados para soportar los requisitos más exigentes de entusiastas y profesionales45v) forma de factor de memoria 240pin dimm latencia: 11 garantía: garantía de 6 meses con factura legalmemoria ram para pc adata 8gb ddr3l han sido diseñados y fabricados para soportar los requisitos más exigentes de entusiastas y profesionales45v) forma de factor de memoria 240pin dimm latencia: 11 garantía: garantía de 6 meses con factura legalcaracterísticas principales dimenciones: 256 x x 8 (mm) capacidad de 8gb bus tensión de trabajo 1la alta densidad de los 8 gb supera situaciones donde hay pocas ranuras dram en la placa base, permitiendo a los usuarios maximizar el potencial del sistema y su rendimiento
$ 149900
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Memoria ram para portatil adata premier 8gb bus adata continúa liderando la industria en frecuencia y densidad de la dram con estos módulos de memoria de 8gb premier series ddr3l de una pieza45v) garantía: garantía de 6 meses con factura legal iva incluidocaracterísticas principales capacidad 8 gb especificaciones del módulo 204pin so-dimm latencia cas 11 ensión de trabajo 1han sido diseñados y fabricados para soportar los requisitos más exigentes de entusiastas y profesionalesla alta densidad de los 8 gb supera situaciones donde hay pocas ranuras dram en la placa base, permitiendo a los usuarios maximizar el potencial del sistema y su rendimiento45v) garantía: garantía de 6 meses con factura legal iva incluidomemoria ram para portatil adata premier 8gb bus adata continúa liderando la industria en frecuencia y densidad de la dram con estos módulos de memoria de 8gb premier series ddr3l de una pieza
$ 149900
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575v) * 800mhz fck para 1600mb / sec / pin * 8 bancos internos independientes *latencia de cas programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5 *latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 *pre-fetch de 8 bits *longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin límite, secuencial con arranque dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4, que no permite leer o escribir [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs] * datos diferenciales bidireccionales strobe *calibración interna (self): calibración interna a través del pin zq (rzq: 240 ohmios ± 1%) *terminación de la matriz con pin odt *periodo de actualización promedio 7esta 204-pin sodimm utiliza dedos de contacto de orokvr16ls11 / 4 4gb 1rx8 512m x 64-bit pc3l-12800 cl11 204-pin sodimm descripción este documento describe valueram 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l-1600 cl11 sdram (dram síncrona), 1rx8, baja voltaje, módulo de memoria, basado en ocho 512m x 8-bit fbga componentesel spd está programado para el estándar jedec latencia ddr3-1600 de 11-11-11 a 18us a menos de tcase 85 ° c, 39us a 85 ° c garantía 2 mesesel sistema eléctrico y las especificaciones mecánicas son las siguientes: caracteristicas * norma jedec 1575v) fuente de alimentación *vddq = 1
Cali (Valle del Cauca)
$ 70000
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45v) forma de factor de memoria 240pin dimm latencia: 11memoria ram para pc adata 8gb ddr3l han sido diseñados y fabricados para soportar los requisitos más exigentes de entusiastas y profesionalesmemoria ram para pc adata 8gb ddr3l han sido diseñados y fabricados para soportar los requisitos más exigentes de entusiastas y profesionalescaracterísticas principales dimenciones: 256 x x 8 (mm) capacidad de 8gb bus tensión de trabajo 145v) forma de factor de memoria 240pin dimm latencia: 11la alta densidad de los 8 gb supera situaciones donde hay pocas ranuras dram en la placa base, permitiendo a los usuarios maximizar el potencial del sistema y su rendimiento
$ 209000
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Memoria ram para portatil adata premier 8gb bus adata continúa liderando la industria en frecuencia y densidad de la dram con estos módulos de memoria de 8gb premier series ddr3l de una pieza45v)memoria ram para portatil adata premier 8gb bus adata continúa liderando la industria en frecuencia y densidad de la dram con estos módulos de memoria de 8gb premier series ddr3l de una piezacaracterísticas principales capacidad 8 gb especificaciones del módulo 204pin so-dimm latencia cas 11 ensión de trabajo 1han sido diseñados y fabricados para soportar los requisitos más exigentes de entusiastas y profesionalesla alta densidad de los 8 gb supera situaciones donde hay pocas ranuras dram en la placa base, permitiendo a los usuarios maximizar el potencial del sistema y su rendimiento
$ 226900
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5 voltios tensión máxima de bloqueo de cc vdc: 45 voltios promedio de corriente máxima rectificada @ tc = 95 ¿ i (av) a: 15 amperios corriente pico ascendente 8especificaciones técnicas: tensión inversa máxima recurrente vrrm: 45 voltios tensión máxima rms vrms: 313ms onda sinusoidal simple: 275 amperios características: -excelente calidadalta capacidad de corriente de sobretensión -baja corriente de fuga y caída de tensión -baja pérdida de potencia, de alta eficiencia nota: para uso en baja tensión, inversores de alta frecuencia y protecciones de polaridad producto garantizado8cm -4g garantía: producto garantizado
$ 599
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6% (prueba a la entrada 32v, salida 45v / 3a) dimensión: 70 mm * 39 mm * 32 mm / " aplicaciones: diy una fuente de alimentación móvil cargador de refuerzo fuente de alimentación para equipos electrónicos cantidad: 1pc el paquete incluye: 1 x dc-dc boost converter step up módulo ajustable de voltajemódulos naturaleza: step-up no aislado (boost) rectificación: rectificación no síncrona voltaje de entrada: 6v-35v voltaje de salida: 6v-55v (se debe asegurar que el voltaje de salida sea más alto que el voltaje de entrada) corriente de entrada: 10a (max) corriente de salida: 7a (max) potencia: 200w max (voltaje de entrada superior a 30v) eficiencia de conversión: 97
$ 45000