Trfc
Listado trfc
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) refrescar a active / refresh 260ns (min2v tÃpico • vpp - 2descripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bitscada kit módulo de soportes intel® extreme memory profiles (xmp intel®) 26v • on-die termination (odt) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno • bidireccional de datos diferencial strobe • 8 bits de solicitud previa • longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) • altura mm) cl (idd) 13 ciclos tiempo del ciclo de fila (tren) 46) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negro caracterÃsticas caracteristicas • fuente de alimentación: vdd = 12v tÃpico • vddq = 1) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrodescripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bitsla capacidad total es de 16 gb kiteste módulo ha sido probado para funcionar a ddr en un tiempo de latencia baja de a 15v tÃpico • vdd spd = 2) tiempo de comandos (trfc min) fila active time (trasmin) 33ns (min
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) single power supply of +1caracterÃsticas de kingston valueram ddr pcgb cl6 módulo de memoria de 2gb ddr row cycle time (trc) 60ns (minproducto garantizado (sellado por kingston)1v) power w (operating) ul rating 94 v - 0 latencia cas  6 envio gratis a toda colombia) refresh to active/refresh command time (trfc) ns row active time (tras) 38ns (min
$ 63000
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) refrescar a active / refresh 260ns (min2v tÃpico • vpp - 2descripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bitscada kit módulo de soportes intel® extreme memory profiles (xmp intel®) 2caracterÃsticas caracteristicas • fuente de alimentación: vdd = 16v • on-die termination (odt) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno • bidireccional de datos diferencial strobe • 8 bits de solicitud previa • longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) • altura mm) cl (idd) 13 ciclos tiempo del ciclo de fila (tren) 462v tÃpico • vddq = 1) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c    especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrodescripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bits) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c    especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrola capacidad total es de 16 gb kiteste módulo ha sido probado para funcionar a ddr en un tiempo de latencia baja de a 15v tÃpico • vdd spd = 2) tiempo de comandos (trfc min) fila active time (trasmin) 33ns (min
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