Portatil 4gb ddr
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Memoria ram ddr3 4gb kingston a) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5v) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentesmemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del comprador descripción especificaciones este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 49especificaciones de módulos de memoria kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de piezacualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprarel spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (minexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del comprador5v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 18us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3) utiliza los dedos de contacto de oro9us a 85 ° c •restablecido asincrónico •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizadola eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc características temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •1este módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (min5v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas: •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%) •en terminación die usando pin odt •promedio 7mientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquí
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