Mhz 1 gb
Listado mhz 1 gb
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Descripcion: 1 gb 400 mhz ddr non-ecc cl)dimm detalles: standard 128mx64 non-ecc 400 mhz 184-pin no buffer especificaciones: dimm (ddr,2,6v,cl3,doble lado, oro)descripcion: 1 gb 400 mhz ddr non-ecc cl)dimm detalles: standard 128mx64 non-ecc 400 mhz 184-pin no buffer especificaciones: dimm (ddr,2,6v,cl3,doble lado, oro)
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El spd está programado según el estándar jedec latencia mhz tiempo de 9-9-9 a 1caracteristicas • fuente de alimentación estándar jedec 15v ± v • vddq = 1,5v ± v • 667mhz fck para mb / sec / pin • 8 bancos internos independientes • latencia programable de cas: • publicado cas • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de burst: 8 (interleave sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): calibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • periodo de actualización promedio 7descripción *kvrd3s91g este documento describe valueram 128m x 64-bit (1 gb) memoria ddrmhz cl9 sdram (memoria dram síncrona), basado en ocho 128m x 8-bit ddrmhz fbga componentes8us a un valor inferior a tcase 85 ° c, 3este sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro y requiere + 1,5v9us a 85 ° c- descripción *kvrd3s91g este documento describe valueram 128m x 64-bit (1 gb) memoria ddrmhz cl9 sdram (memoria dram síncrona), basado en ocho 128m x 8-bit ddrmhz fbga componentesla electricidad
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