Memoria ram de 4gb expansible a 8

Listado memoria ram de 4gb expansible a 8

  • memoria ram ddr3 4gb kingston amemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del comprador) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentesespecificaciones de módulos de memoria   kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm     información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de pieza  descripción especificaciones   este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 495v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas:   •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%)   •en terminación die usando pin odt •promedio 7) utiliza los dedos de contacto de oroexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorla eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0   temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc características temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •1el spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (mineste módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (min8us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3mientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquícualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprar9us a 85 ° c   •restablecido asincrónico   •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizado5v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 1) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5v

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  • memoria ram de 4gb ddrmemoria ram de 4gb ddrel procesador tiene que tomar los datos y las instrucciones de ella para poder funcionarpor este motivo, se han creado distintos  niveles jerárquicos de memoriaestos tres niveles están integrados en el procesador, mientras que el siguiente, la ram, está fuera, en forma de módulos de memoriaahora bien, a las velocidades a las que trabaja éste, la memoria de la cual toma los datos y las instrucciones tiene que ser ultrarrápidao, lo que es lo mismo, ultracaraen  sandy bridge  es de 64 kbytes dividida en 32 kbytes para datos y 32 para instruccionesla caché de nivel dos,  l2, ya pasa a ser de más de 100 kbytes, con hasta 256 o 512 kbytesla más rápida y cercana al procesador es la  caché, con niveles 1, 2 y hasta 3la  l1 es ultrarrápida y muy cara, y por eso no pasa de unas decenas de kbytesla de nivel 3 o  l3  se desenvuelve con varios «megas», de hasta 16 mbytesel procesador tiene que tomar los datos y las instrucciones de ella para poder funcionar

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  • Se vende porque cuando compre la maquina venia con esta ram pero yo tenia ya dos de 8gb memoria ram de 4gb ddr iii mhz marca samsung tiempo de uso cuando compre la maquina se la quite a las pocas horas para ensamblar las otras se entrega probada e instaladase vende porque cuando compre la maquina venia con esta ram pero yo tenia ya dos de 8gb memoria ram de 4gb ddr iii mhz marca samsung tiempo de uso cuando compre la maquina se la quite a las pocas horas para ensamblar las otras se entrega probada e instalada

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