Memoria ram ddr3 4gb mhz cualquier duda
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memoria ram ddr3 4gb kingston pc3l portatil mhz  descripción del producto: marca: kingston original capacidad: 4 gigas tecnologÃa: pc3l / / ddr3 compatibilidad:  con equipos mac, toshiba,  lenovo, hewlett packard, asus, acer, dell y compaq garantÃa: garantÃa de seis meses a nivel nacionalgarantÃa: seis meses        envÃo gratis a todo el paÃs domicilio contraentrega en bogotá: ($) retiro el producto personalmente en nuestras instalaciones
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memoria ram ddr3 4gb kingston amemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorcualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprarespecificaciones de módulos de memoria  kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm   información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de pieza descripción especificaciones  este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 49) utiliza los dedos de contacto de oroexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorla eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0  temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc caracterÃsticas temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •1el spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (mineste módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (min5v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas:  •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún lÃmite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%)  •en terminación die usando pin odt •promedio 78us perÃodo actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3mientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquÃ) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentes9us a 85 ° c  •restablecido asincrónico  •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizado5v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 1) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5v
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