Mghz memoria ram ddr3 4gb
Listado mghz memoria ram ddr3 4gb
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memoria ram ddr3 4gb kingston hyperx fury pc clv memoria de alto rendimiento con mayor costo beneficio la memoria fury de hyperx ofrece overclocking automático y cuenta con un disipador de calor que incrementa la experiencia de los usuarios que demandan alto desempeñoel pnp no puede aumentar la velocidad de la memoria del sistema más allá de lo permitido por el bios del fabricante caracterÃsticas principales capacidad: 1 x 4gb tipo: ddr3 frecuencia: mhz formato: dimm especificaciones secundarias voltaje: 1cada modulo es 100% confiable y probado, *la memoria hyperx pnp funcionará en la mayorÃa de los sistemas ddr3 hasta la velocidad permitida por el bios del sistema del fabricantegarantÃa: garantÃa de 12 meses50 v latencia cl (cas): 10 compatible con plataformas intel y amd para garantizar su compatibilidad, hyperx fury ha sido probada con todas las marcas populares de placas madreel disipador de calor viene en cuatro colores (azul, negro, rojo y blanco) y cuenta con pcb negro que te permitirá tener la combinación ideal para tu equipohyperx fury es completamente plug and play (pnp)* por lo que realiza overclock de manera automática dentro de la velocidad permitida por el sistema y sin necesidad de modificar el bios manualmente
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memoria ram ddr3 4gb kingston amemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorespecificaciones de módulos de memoria  kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm   información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de pieza descripción especificaciones  este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 495v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 1) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5vel spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (min9us a 85 ° c  •restablecido asincrónico  •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizadoexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradormientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquÃcualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprareste módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (min) utiliza los dedos de contacto de orola eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0  temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc caracterÃsticas temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •1) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentes5v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas:  •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún lÃmite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%)  •en terminación die usando pin odt •promedio 78us perÃodo actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3
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