Memoria pc ddr3 1gb almacenamiento
Listado memoria pc ddr3 1gb almacenamiento
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memoria pc 8gb kingston ddr (kvr16n11/8) valueram, la memoria estándar de kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de kingston9us a 85 ° c • restablecimiento asÃncrono • pcb: altura mm) o mm) cl (idd) especificaciones del módulo de memoria kvr16ngb 2rx8 1g x 64-bit pc dimm de 240 clavijas cl11 garantÃa: garantÃa de 12 meses con factura) potencia máxima de funcionamiento: tbd w * clasificación ul: 94 v - 0 temperatura de funcionamiento: 0 o c a +85 o c temperatura de almacenamiento: -55 o c a +100 o c este documento describe la memoria ddr3 de valueram de 1g x 64 bits (8gb) cl11 sdram (dram sÃncrona) 2rx8, memoria, basado en 16 componentes fbga de 512m x 8 bitscuando uno sabe lo que quiere, lo que quiere es valueram8us a menor que tcase 85 ° c, 3) tiempo de comando (trfcmin): 260ns (min este dimm de 240 clavijas utiliza oro las especificaciones eléctricas y mecánicas son: • fuente de alimentación estándar jedec 1caracteristicas: tiempo de ciclo de fila (trcmin): 11 ciclos actualizar a activo / actualizar: ns (min) tiempo activo de fila (trasmin): 35ns (min5v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (entrelazado sin lÃmite, secuencial con d irección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • perÃodo de actualización promedio 7 los spd está programado para la latencia estándar jedec ddr tiempo del a 15v (v ~ v) • vddq = 1
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11 b/g/n red móvil 3g ( sim card) almacenamiento memoria ram pc ddr3 1gb almacenamiento interno 8 gb camaras posterior (trasera) 2 mp fixed-focustablet lenovo tb-7104i 16gb 1gb 7" quad-core 1fina, ligera y económica, se trata de una tablet fantástica para compartir en casa5 mm 1 x slot para micro sd bateria tipo li-ion polymer capacidad 2750 mah dimensiones 113 ghz 32 bits sistema operativo android oreo go edition pantalla tamaño 7" panel tn lcd resolución 1024 x 600 tipo multitouch 5 points conectividad wifi 8023 ghz wifi+3g por fin, una tablet excelente a un precio asequible, es ideal para familias gracias a las cuentas multiusuario, que permiten a los padres adaptar la experiencia a sus necesidades y a las de sus hijos5 x19 x 1 cm 254 g contenido de la caja tablet lenovo tab e7 cargador guÃa de usuario
MedellÃn (Antioquia)
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memoria ram ddr3 4gb kingston amemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorespecificaciones de módulos de memoria  kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm   información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de pieza descripción especificaciones  este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 49la eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0  temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc caracterÃsticas temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •15v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas:  •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún lÃmite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%)  •en terminación die usando pin odt •promedio 7) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentes) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5vel spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (min8us perÃodo actualizar en baja que tcase 85 ° c, 39us a 85 ° c  •restablecido asincrónico  •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizado5v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 1mientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquÃeste módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (minexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del comprador) utiliza los dedos de contacto de orocualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprar
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