Memoria pc ddr3 1gb almacenamiento
Listado memoria pc ddr3 1gb almacenamiento
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memoria pc 8gb kingston ddr (kvr16n11/8) valueram, la memoria estándar de kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de kingston9us a 85 ° c • restablecimiento asÃncrono • pcb: altura mm) o mm) cl (idd) especificaciones del módulo de memoria kvr16ngb 2rx8 1g x 64-bit pc dimm de 240 clavijas cl11 garantÃa: garantÃa de 12 meses con factura) potencia máxima de funcionamiento: tbd w * clasificación ul: 94 v - 0 temperatura de funcionamiento: 0 o c a +85 o c temperatura de almacenamiento: -55 o c a +100 o c este documento describe la memoria ddr3 de valueram de 1g x 64 bits (8gb) cl11 sdram (dram sÃncrona) 2rx8, memoria, basado en 16 componentes fbga de 512m x 8 bits8us a menor que tcase 85 ° c, 3cuando uno sabe lo que quiere, lo que quiere es valueramcaracteristicas: tiempo de ciclo de fila (trcmin): 11 ciclos actualizar a activo / actualizar: ns (min este dimm de 240 clavijas utiliza oro las especificaciones eléctricas y mecánicas son: • fuente de alimentación estándar jedec 15v (v ~ v) • vddq = 1) tiempo de comando (trfcmin): 260ns (min5v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (entrelazado sin lÃmite, secuencial con d irección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • perÃodo de actualización promedio 7 los spd está programado para la latencia estándar jedec ddr tiempo del a 1) tiempo activo de fila (trasmin): 35ns (min
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MedellÃn (Antioquia)
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memoria ram ddr3 4gb kingston amemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorespecificaciones de módulos de memoria  kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm   información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de pieza descripción especificaciones  este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 49la eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0  temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc caracterÃsticas temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •1) utiliza los dedos de contacto de oroexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorel spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (mineste módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (min5v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas:  •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún lÃmite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%)  •en terminación die usando pin odt •promedio 78us perÃodo actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3mientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquÃ) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentescualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprar9us a 85 ° c  •restablecido asincrónico  •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizado5v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 1) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5v
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