Intel atom z gb memoria ram ddr3
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memoria ram ddr3 4gb kingston amemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del comprador descripción especificaciones  este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 49especificaciones de módulos de memoria  kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm   información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de piezacualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprarla eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0  temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc caracterÃsticas temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •1) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentesmientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquÃ5v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 1) utiliza los dedos de contacto de oroel spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (min9us a 85 ° c  •restablecido asincrónico  •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizadoexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del comprador) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5v5v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas:  •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún lÃmite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%)  •en terminación die usando pin odt •promedio 7este módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (min8us perÃodo actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3
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Vendo un par de discos duros en excelentes condiciones operativas uno de gb y otro de 500 gb memoria ram ddr3 4 gb y micro sd de 16 gb
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Tipo: notebook - netbooks tipo: lenovo memoria ram ddr3 de 2gb ramaxel de un equipo lenovo de 6 meses de uso, la saqué de mi portátil porque lo actualicé instalandole una de 4gb de la misma marca
MedellÃn (Antioquia)
