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Listado idd
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Especificaciones de módulos de memoria kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de piezaexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del comprador) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentes8us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 35v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas: •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%) •en terminación die usando pin odt •promedio 7la eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc características temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •1) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5v) utiliza los dedos de contacto de oro9us a 85 ° c •restablecido asincrónico •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizadomemoria ram ddr3 4gb kingston a descripción especificaciones este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 495v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 1cualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprarmemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorel spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (minmientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquíeste módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (min
$ 55000
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La capacidad total es de 16 gb kit2v típico • vddq = 1) tiempo de comandos (trfc min) fila active time (trasmin) 33ns (mincada kit módulo de soportes intel® extreme memory profiles (xmp intel®) 2este módulo ha sido probado para funcionar a ddr en un tiempo de latencia baja de a 16v • on-die termination (odt) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno • bidireccional de datos diferencial strobe • 8 bits de solicitud previa • longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) • altura mm) cl (idd) 13 ciclos tiempo del ciclo de fila (tren) 462v típico • vpp - 2) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrodescripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bits) refrescar a active / refresh 260ns (min5v típico • vdd spd = 2) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negro características caracteristicas • fuente de alimentación: vdd = 1descripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bits
$ 455000
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8 bits pre-fetch9us a 85 ° c restablecido asincrónicointerna (auto) de calibración: autocalibración interna a través del pin zq (rzq: 240 ohmios ± 1%)el spd se programa con la norma jedec momento ddr latencia del al 1) actualizar a active / refresh 260ns (min8us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3 este documento describe valueram 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, baja tensión, módulo de memoria, basado en componentes fbga ocho 512m x 8 bits8 bancaria interna independienteprogramable cas latenciaen terminación die usando pin odtbi-direccional de datos diferencial strobeesta sodimm 204 pines utiliza los dedos de contacto de oroprogramable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj características estándar jedec 1fck 800mhz de mb / s / pin5v (v - v) fuente de alimentaciónespecificación cl (idd) 11 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) ns (min) tiempo comando (trfcmin) fila active time (trasmin) 35ns (minpcb: altura mm), doble componente caras) potencia funcionamiento máxima tbd w * ul clasificación 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0º c a 85º c temperatura de almacenamiento -55º c a 100º c garantía: producto 100% nuevo con doce (12) meses de garantía directamente con jd marketlongitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs]
$ 69900
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) power (operating) w* ul rating 94 v - 0 operating temperature 0o c to 85o c storage temperature -55o c to +100o c más información en la web del fabricante: http://wwwthe spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of 9-9-95v (v ~ v) power supply vddq = 1this 240-pin dimm uses gold contact fingers) refresh to active/refresh 160ns (minpdf comprar kingston hyperx blu ddr pcgb cl9 garantía: memoria probada y funcionando correctamente8us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~ v) 667mhz fck for mb/sec/pin 8 independent internal bank programmable cas latency: programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] bi-directional differential data strobe internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%)on die termination using odt pin average refresh period 79us at 85°c asynchronous reset pcb: height mm), double sided component specifications cl(idd) 9 cycles row cycle time (trcmin) 49) command time (trfcmin) row active time (trasmin) 36ns (mincom/datasheets/khxc9d3b1_4g1 mes de garantíados módulos de 4gb cada uno 2x4gb perfecto estado incluye empaque y manual de instrucciones por cada módulo this document describes kingston´s 512m x 64-bit (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), 2rx8 memory module, based on sixteen 256m x 8-bit fbga componentsthis module has been tested to run at ddr at a low latency timing of at 1the jedec electrical and mechanical specifications are as follows: features jedec standard 1
$ 200000
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Este dimm de 240 clavijas utiliza oro las especificaciones eléctricas y mecánicas son: • fuente de alimentación estándar jedec 1memoria pc 8gb kingston ddr (kvr16n11/8) valueram, la memoria estándar de kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de kingstoncuando uno sabe lo que quiere, lo que quiere es valueram5v (v ~ v) • vddq = 15v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (entrelazado sin límite, secuencial con d irección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 79us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm) o mm) cl (idd) especificaciones del módulo de memoria kvr16ngb 2rx8 1g x 64-bit pc dimm de 240 clavijas cl11 garantía: garantía de 12 meses con factura los spd está programado para la latencia estándar jedec ddr tiempo del a 18us a menor que tcase 85 ° c, 3caracteristicas: tiempo de ciclo de fila (trcmin): 11 ciclos actualizar a activo / actualizar: ns (min) potencia máxima de funcionamiento: tbd w * clasificación ul: 94 v - 0 temperatura de funcionamiento: 0 o c a +85 o c temperatura de almacenamiento: -55 o c a +100 o c este documento describe la memoria ddr3 de valueram de 1g x 64 bits (8gb) cl11 sdram (dram síncrona) 2rx8, memoria, basado en 16 componentes fbga de 512m x 8 bits) tiempo de comando (trfcmin): 260ns (min) tiempo activo de fila (trasmin): 35ns (min
$ 189000
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Este dimm de 240 clavijas utiliza oro las especificaciones eléctricas y mecánicas son: • fuente de alimentación estándar jedec 19us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm) o mm) cl (idd) especificaciones del módulo de memoria kvr16ngb 2rx8 1g x 64-bit pc dimm de 240 clavijas cl11memoria pc 8gb kingston ddr (kvr16n11/8) valueram, la memoria estándar de kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de kingston9us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm) o mm) cl (idd) especificaciones del módulo de memoria kvr16ngb 2rx8 1g x 64-bit pc dimm de 240 clavijas cl11memoria pc 8gb kingston ddr (kvr16n11/8) valueram, la memoria estándar de kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de kingstoncuando uno sabe lo que quiere, lo que quiere es valueram5v (v ~ v) • vddq = 15v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (entrelazado sin límite, secuencial con d irección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 7 los spd está programado para la latencia estándar jedec ddr tiempo del a 18us a menor que tcase 85 ° c, 3caracteristicas: tiempo de ciclo de fila (trcmin): 11 ciclos actualizar a activo / actualizar: ns (min) potencia máxima de funcionamiento: tbd w * clasificación ul: 94 v - 0 temperatura de funcionamiento: 0 o c a +85 o c temperatura de almacenamiento: -55 o c a +100 o c este documento describe la memoria ddr3 de valueram de 1g x 64 bits (8gb) cl11 sdram (dram síncrona) 2rx8, memoria, basado en 16 componentes fbga de 512m x 8 bits) tiempo de comando (trfcmin): 260ns (min) tiempo activo de fila (trasmin): 35ns (min
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La capacidad total es de 16 gb kit2v típico • vddq = 1) tiempo de comandos (trfc min) fila active time (trasmin) 33ns (mincada kit módulo de soportes intel® extreme memory profiles (xmp intel®) 2este módulo ha sido probado para funcionar a ddr en un tiempo de latencia baja de a 1) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrodescripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bits6v • on-die termination (odt) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno • bidireccional de datos diferencial strobe • 8 bits de solicitud previa • longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) • altura mm) cl (idd) 13 ciclos tiempo del ciclo de fila (tren) 462v típico • vpp - 2características caracteristicas • fuente de alimentación: vdd = 1) refrescar a active / refresh 260ns (min5v típico • vdd spd = 2) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrodescripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bits
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