Excelente latencia cas 16
Listado excelente latencia cas 16
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0 para un overclocking fácil y simple ddr (pc) de latencia cas 16 voltaje 1habilidad tridentz serie rgb 16 gb (2 x 8 gb) 288 pines ddr mhz (pc) memoria de escritorio modelo f c16d-16gtzr sistema revolucionario de iluminación led rgb efecto diseñado para presumir de tu rainbow, wave, efecto de iluminación por defecto completamente libres de fluidos, full-length light bar altamente screened personalizado de ic y pcb de 10 capas para un rendimiento de overclocking acabado lujoso hair-line heat-spreaders de aluminio con fin diseño agresivo para altamente eficiente disipación de calor soporte de perfil intel xmp 2
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Centauripc --------------------------------------------------------- corsair vengance 8gb / portatiles ---------------------------------------------------------- * magnifica y potente memoria ddr4 * modulo único de 8gb a 2400mhz * excelente latencia cas 16 * ideal para portátiles de alto rendimiento --------------------------------------------- -referencia: cmsx8gx4m1a2400c16 -serie: vengance -formato: ddr4 sodimm -capacidad: 8gb (1 x 8gb) -velocidad: 2400 mhz -latencia: cas 16 -tiempo: 16-16-16-39 -voltaje: 12v -color: negro --------------------------------------------------- garantía: 6 meses estado: nuevo / sellado disponibilidad: entrega inmediata envió gratis!
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) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5vexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradormemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del comprador5v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas: •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%) •en terminación die usando pin odt •promedio 7este módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (min8us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3el spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (minmientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquí5v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 1) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentesla eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc características temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •1especificaciones de módulos de memoria kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de pieza descripción especificaciones este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 49cualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprar) utiliza los dedos de contacto de oro9us a 85 ° c •restablecido asincrónico •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizadomemoria ram ddr3 4gb kingston a
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Los spd está programado para la latencia estándar jedec ddr tiempo del a 15v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (entrelazado sin límite, secuencial con d irección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 7) potencia máxima de funcionamiento: tbd w * clasificación ul: 94 v - 0 temperatura de funcionamiento: 0 o c a +85 o c temperatura de almacenamiento: -55 o c a +100 o c este documento describe la memoria ddr3 de valueram de 1g x 64 bits (8gb) cl11 sdram (dram síncrona) 2rx8, memoria, basado en 16 componentes fbga de 512m x 8 bits9us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm) o mm) cl (idd) especificaciones del módulo de memoria kvr16ngb 2rx8 1g x 64-bit pc dimm de 240 clavijas cl11 garantía: garantía de 12 meses con factura) tiempo activo de fila (trasmin): 35ns (min5v (v ~ v) • vddq = 1) tiempo de comando (trfcmin): 260ns (min este dimm de 240 clavijas utiliza oro las especificaciones eléctricas y mecánicas son: • fuente de alimentación estándar jedec 1caracteristicas: tiempo de ciclo de fila (trcmin): 11 ciclos actualizar a activo / actualizar: ns (minmemoria pc 8gb kingston ddr (kvr16n11/8) valueram, la memoria estándar de kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de kingston8us a menor que tcase 85 ° c, 3cuando uno sabe lo que quiere, lo que quiere es valueram
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5v latencia cas (cl) 95v latencia cas (cl) 9módulo de memoria ddr3 pc de increibles mb ( mhz, cl9) de kingston valuerammemoria ram ddrgb pc pc3l nuevo kingston so-dimm mb memoria ram ddrgb pc pc3l nuevo kingston so-dimm mb memoria ram mb pc kingston ddr pc marca kingston modelo kvrd3n9/4g - kvr13d3n9/4g - preguntar disponibilidad modelos descritos velocidad de bus pc (ddr) número de módulos 1 capacidad por módulo 4gb tipo ddr3 formato dimm número de pines 240 voltaje 15 v (un 16% menos que los ddr2), por lo que disminuye el consumo de energía y la emisión de calor de los módulosmódulo de memoria ddr3 pc de increibles mb ( mhz, cl9) de kingston valueramlos módulos de memoria ddr3 ofrecen las siguientes novedades frente a los módulos ddr2: la tensión estándar es de sólo 1
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5v (v ~ v) fck 800mhz de mb / s / pin 8 bancaria interna independiente latencia cas programable: programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj 8 bits de captación previa bi-direccional de datos autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%) período de refresco promedio 78micro seg reset asíncrono pcb: altura mm) componenstes en las dos caras características principales pcmhz) dual data rate módulo de memoria en línea 240-pin dual non-ecc unbuffered 78us intervalo de actualización ( cycles/64ms) requisitos de alimentación de 1,5 vmemoria ddr3 8gb kingston mhz portatil() fuente de alimentación 1memoria ddr3 8gb kingston mhz portatil() fuente de alimentación 18us intervalo de actualización ( cycles/64ms) requisitos de alimentación de 1,5 v5v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación vddq = 1
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Memoria interna 8 gb (2x4gb) tipo de memoria interna ddr3 velocidad de memoria del reloj mhz componente para pc forma de factor de memoria 240-pin latencia cas 10 voltaje de memoria 1,65v memoria sin buffer simemoria interna 8 gb (2x4gb) tipo de memoria interna ddr3 velocidad de memoria del reloj mhz componente para pc forma de factor de memoria 240-pin latencia cas 10 voltaje de memoria 1,65v memoria sin buffer si
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