Ddr cl11 sdram
Listado ddr cl11 sdram
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Memoria ram udimm 8gb crucial ddr cl11 vlp ecc 135 v garantia: 6 meses por defetos de fabrica mira un listado completo de nuestros productos click aqui !!! garantía: simemoria ram udimm 8gb crucial ddr cl11 vlp ecc 135v referencia: ctbm160b características principales tipo de producto memoria ram capacidad 8 gb tipo de memoria ddr3 sdram - dimm de 240 espigas tipo de actualización genérico comprobación integridad datos ecc velocidad mhz (pc) características baja tensión, sin memoria intermedia tensión 135 v garantia: 6 meses por defetos de fabrica mira un listado completo de nuestros productos click aqui !!! garantía: si
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Los spd está programado para la latencia estándar jedec ddr tiempo del a 1memoria pc 8gb kingston ddr (kvr16n11/8) valueram, la memoria estándar de kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de kingston) potencia máxima de funcionamiento: tbd w * clasificación ul: 94 v - 0 temperatura de funcionamiento: 0 o c a +85 o c temperatura de almacenamiento: -55 o c a +100 o c este documento describe la memoria ddr3 de valueram de 1g x 64 bits (8gb) cl11 sdram (dram síncrona) 2rx8, memoria, basado en 16 componentes fbga de 512m x 8 bits9us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm) o mm) cl (idd) especificaciones del módulo de memoria kvr16ngb 2rx8 1g x 64-bit pc dimm de 240 clavijas cl11 garantía: garantía de 12 meses con factura8us a menor que tcase 85 ° c, 3cuando uno sabe lo que quiere, lo que quiere es valueramcaracteristicas: tiempo de ciclo de fila (trcmin): 11 ciclos actualizar a activo / actualizar: ns (min este dimm de 240 clavijas utiliza oro las especificaciones eléctricas y mecánicas son: • fuente de alimentación estándar jedec 15v (v ~ v) • vddq = 1) tiempo de comando (trfcmin): 260ns (min5v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (entrelazado sin límite, secuencial con d irección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 7) tiempo activo de fila (trasmin): 35ns (min
$ 189000
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Los spd está programado para la latencia estándar jedec ddr tiempo del a 1memoria pc 8gb kingston ddr (kvr16n11/8) valueram, la memoria estándar de kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de kingston9us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm) o mm) cl (idd) especificaciones del módulo de memoria kvr16ngb 2rx8 1g x 64-bit pc dimm de 240 clavijas cl11) potencia máxima de funcionamiento: tbd w * clasificación ul: 94 v - 0 temperatura de funcionamiento: 0 o c a +85 o c temperatura de almacenamiento: -55 o c a +100 o c este documento describe la memoria ddr3 de valueram de 1g x 64 bits (8gb) cl11 sdram (dram síncrona) 2rx8, memoria, basado en 16 componentes fbga de 512m x 8 bits9us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm) o mm) cl (idd) especificaciones del módulo de memoria kvr16ngb 2rx8 1g x 64-bit pc dimm de 240 clavijas cl11memoria pc 8gb kingston ddr (kvr16n11/8) valueram, la memoria estándar de kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de kingston8us a menor que tcase 85 ° c, 3cuando uno sabe lo que quiere, lo que quiere es valueramcaracteristicas: tiempo de ciclo de fila (trcmin): 11 ciclos actualizar a activo / actualizar: ns (min este dimm de 240 clavijas utiliza oro las especificaciones eléctricas y mecánicas son: • fuente de alimentación estándar jedec 15v (v ~ v) • vddq = 1) tiempo de comando (trfcmin): 260ns (min5v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (entrelazado sin límite, secuencial con d irección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 7) tiempo activo de fila (trasmin): 35ns (min
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Kvr16ngb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm valueram 512m x 64 bits (4 gb) ddr cl11 sdram (dram síncrona) 2rx8, memoria, basado en 16 componentes fbga 256m x 8 bitslos spd está programado para la latencia estándar jedec ddr tiempo del a 1este dimm de 240 clavijas utiliza oro contacto con los dedos
$ 60000
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Kvr800d2n6/2g 2gb 2rxm x 64-bit ddr cl-pin dimm description this document describes valueram's 256m x 64-bit (2gb) ddr cl6 sdram (synchronous dram) 2rx8 memory module, based on sixteen 128m x 8-bit fbga componentsgarantía: 6 meseskvr800d2n6/2g 2gb 2rxm x 64-bit ddr cl-pin dimm description this document describes valueram's 256m x 64-bit (2gb) ddr cl6 sdram (synchronous dram) 2rx8 memory module, based on sixteen 128m x 8-bit fbga components*) ul rating 94 v - 0 *power will vary depending on the sdram usedb specifications clock cycle time (tck) 2) row cycle time (trcmin) 60ns (min) single power supply of +1this 240-pin dimm uses gold contact fingers and requires +1garantía: 6 meses1v) power operating w (approx) refresh to active/refresh ns (minwhile all configurations are compatible, the dram combination and/or the module height may vary from what is described herefigure 1: kvr800d2n6/2g 240-pin dimm memory module specifications note: the module described in this data sheet is one of several configurations available under this part number) command time (trfcmin) row active time (trasmin) 45ns (minthe electrical and mechanical specifications are as follows: document no
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The spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of 9-9-9pdf comprar kingston hyperx blu ddr pcgb cl9 garantía: memoria probada y funcionando correctamentethis module has been tested to run at ddr at a low latency timing of at 1dos módulos de 4gb cada uno 2x4gb perfecto estado incluye empaque y manual de instrucciones por cada módulo this document describes kingston´s 512m x 64-bit (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), 2rx8 memory module, based on sixteen 256m x 8-bit fbga components) refresh to active/refresh 160ns (min8us at lower than tcase 85°c, 39us at 85°c asynchronous reset pcb: height mm), double sided component specifications cl(idd) 9 cycles row cycle time (trcmin) 49) power (operating) w* ul rating 94 v - 0 operating temperature 0o c to 85o c storage temperature -55o c to +100o c más información en la web del fabricante: http://www) command time (trfcmin) row active time (trasmin) 36ns (minthis 240-pin dimm uses gold contact fingerscom/datasheets/khxc9d3b1_4g1 mes de garantíathe jedec electrical and mechanical specifications are as follows: features jedec standard 15v (v ~ v) power supply vddq = 15v (v ~ v) 667mhz fck for mb/sec/pin 8 independent internal bank programmable cas latency: programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] bi-directional differential data strobe internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%)on die termination using odt pin average refresh period 7
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Serie - estado de la pieza obsoleto tipo de memoria ddr 3 sdram capacidad de memoria 2 gb velocidad 1600 mt/s paquete / caja (carcasa) 204-sodimmnúmero de pieza del fabricante mt8jtf25664hz-1g6m1 descripción memory module ddr3 sdram 2gb 1600mt/s 204-sodimm estado libre de plomo / estado rohs sin plomo / cumple con rohs nivel de sensibilidad a la humedad (msl) 3 (168 horas) atributos del producto seleccionar todos categoría módulos y tarjetas de memoria familia memoria - módulos fabricante micron technology incinformación general del producto número de pieza de digi-key mt8jtf25664hz-1g6m1-nd cantidad disponible 2 fabricante micron technology inc
Dosquebradas (Risaralda)
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Serie - estado de la pieza obsoleto tipo de memoria ddr 3 sdram capacidad de memoria 2 gb velocidad mt/s paquete / caja (carcasa) 204-sodimmnúmero de pieza del fabricante mt8jtfhz-1g6m1 descripción memory module ddr3 sdram 2gb mt/s 204-sodimm estado libre de plomo / estado rohs sin plomo / cumple con rohs nivel de sensibilidad a la humedad (msl) horas) atributos del producto seleccionar todos categoría módulos y tarjetas de memoria familia memoria - módulos fabricante micron technology incinformación general del producto número de pieza de digi-key mt8jtfhz-1g6m1-nd cantidad disponible 2 fabricante micron technology inc
$ 50000
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Memoria ram sodimm 8gb crucial ddr3l cl11 para mac referencia: ct8g3s160bm mac características principales product type ram module memory detail memory technology: ddr3 sdram memory standard: ddr/pc interface 204-pin form factor sodimm memory size 8 gb memory speed mhz modules 1 x 8 gb cas latency cl11 voltage regulation v ecc non-ecc certifications reach, rohs, weee, green dot, china rohs, erp dimensions 26 x x 30 mm) garantia: 6 meses por defetos de fabrica mira un listado completo de nuestros productos click aqui !!! garantía: simemoria ram sodimm 8gb crucial ddr3l cl11 para mac referencia: ct8g3s160bm mac características principales product type ram module memory detail memory technology: ddr3 sdram memory standard: ddr/pc interface 204-pin form factor sodimm memory size 8 gb memory speed mhz modules 1 x 8 gb cas latency cl11 voltage regulation v ecc non-ecc certifications reach, rohs, weee, green dot, china rohs, erp dimensions 26 x x 30 mm) garantia: 6 meses por defetos de fabrica mira un listado completo de nuestros productos click aqui !!! garantía: si
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Memoria ram sodimm 8gb crucial ddr3l cl11 para mac referencia: ct8g3s160bm mac características principales product type ram module memory detail memory technology: ddr3 sdram memory standard: ddr/pc interface 204-pin form factor sodimm memory size 8 gb memory speed mhz modules 1 x 8 gb cas latency cl11 voltage regulation v ecc non-ecc certifications reach, rohs, weee, green dot, china rohs, erp dimensions 26 x x 30 mm) garantia: 6 meses por defetos de fabrica mira un listado completo de nuestros productos click aqui !!!memoria ram sodimm 8gb crucial ddr3l cl11 para mac referencia: ct8g3s160bm mac características principales product type ram module memory detail memory technology: ddr3 sdram memory standard: ddr/pc interface 204-pin form factor sodimm memory size 8 gb memory speed mhz modules 1 x 8 gb cas latency cl11 voltage regulation v ecc non-ecc certifications reach, rohs, weee, green dot, china rohs, erp dimensions 26 x x 30 mm) garantia: 6 meses por defetos de fabrica mira un listado completo de nuestros productos click aqui !!!
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El spd se programa con la norma jedec momento ddr latencia del al 1 este documento describe valueram 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, baja tensión, módulo de memoria, basado en componentes fbga ocho 512m x 8 bits5v (v - v) fuente de alimentaciónbi-direccional de datos diferencial strobe) tiempo comando (trfcmin) fila active time (trasmin) 35ns (mininterna (auto) de calibración: autocalibración interna a través del pin zq (rzq: 240 ohmios ± 1%)) actualizar a active / refresh 260ns (min8 bancaria interna independientelongitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs]8us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3especificación cl (idd) 11 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) ns (minprogramable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 relojesta sodimm 204 pines utiliza los dedos de contacto de oro) potencia funcionamiento máxima tbd w * ul clasificación 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0º c a 85º c temperatura de almacenamiento -55º c a 100º c garantía: producto 100% nuevo con doce (12) meses de garantía directamente con jd marketprogramable cas latenciapcb: altura mm), doble componente carasfck 800mhz de mb / s / pinen terminación die usando pin odt9us a 85 ° c restablecido asincrónico8 bits pre-fetch características estándar jedec 1
$ 69900
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El spd se programa con la norma jedec momento ddr latencia del al 1memoria ram para portatil kingston pc3l 4gb memoria ram para portatil kingston pc3l 4gb características principales garantia de 6 meses este documento describe valueram 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, baja tensión, módulo de memoria, basado en componentes fbga ocho 512m x 8 bitsproducto originalmemoria ram para portatil kingston pc3l 4gb memoria ram para portatil kingston pc3l 4gb características principales garantia de 6 meses este documento describe valueram 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, baja tensión, módulo de memoria, basado en componentes fbga ocho 512m x 8 bitsesta sodimm 204 pines utiliza los dedos de contacto de oroproducto original
$ 125000
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The spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of at 1kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components9us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components8us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~ v) • 800mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • 8-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 7this 240-pin dimm uses gold contact fingersthe electrical and mechanical specifications are as follows: features • jedec standard 15v (v ~ v) power supply • vddq = 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)
$ 70000
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El spd está programado para sincronización de ddr de latencia estándar jedec de en 135v memoria sodimm - kvr16lse11/4 este kinston kvr16lse11/4 es 512 m x 72 bits (4gb) ddr3l cl11 sdram de valueram (dram sincrónica), 1rx8, ecc, baja tensión, módulo de memoria, basado en nueve componentes fbga m 512 x 8 bits35v pc3l- especificaciones técnicas ecc de 204 pines pc3l-mhz de 4 gb kingston ddr3l 135v varios 512meg x 72 cl = 11 garantía garantía del fabricante limitada de por vida detalles de envío datos de envío internacional impuestos de importación, derechos aduaneros y cuotas asociados durante la importación será responsabilidad del compradorpara obtener más información sobre envíos internacionales, por favor visite: por favor revise nuestras políticas de la tienda aquí: codigo: ecc de 204 pines mhz de 4 gb kingston ddr3l 1si usted tiene cualquier restricción de tiempo, favor de enviar a servicio de correo expresscaracterísticas clave memoria ddr3l - mhz de 4 gb kingston sin buffer, ecc baja tensión 1además el tiempo estimado de entrega, usted debeesperar retraso adicionaldebido control aduanero y tiempos de procesamiento por la autoridad postal local en su país35v memoria sodimm - kvr16lse11/4 fabricante kingston número de parte kvr16lse11/4 tipo 204-pin sodimm ddr3l sin memoria intermedia ecc capacidad 4 gb velocidad mhz pc3l- tensión baja tensión 1no hay estimaciones de tiempo de tránsito están disponibles para los paquetes de usps first class mail international y ninguna información de seguimiento está disponible35v memoria sodimm - kvr16lse11/4 mueva el ratón sobre las imágenes para ver una versión ampliada detalles del producto ecc de 204 pines pc3l-mhz de 4 gb kingston ddr3l 1por lo tanto, no podemos proporcionar una fecha de entrega garantizada si eliges correo servicios internacionales de uspspara obtener más información sobre envíos internacionales, por favor visite: por favor revise nuestras políticas de la tienda aquí: codigoprioridad de usps correo internacional tiene unestimadotiempo de tránsito de entrega de 6-11 díaseste 204-pin sodimm utiliza los dedos contacto orousps express mail international cuenta con unaestimadotiempo de tránsito de entrega de 3 a 5 días hábilessi necesita seguimiento de información y seguro, seleccione servicio de correo expresstenga en cuenta que usps no garantiza plazos de entrega para sus servicios internacionales ecc de 204 pines mhz de 4 gb kingston ddr3l 135v descripción: 4gb kingston ddr3l mhz 240 pines ecc 1
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The spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of at 12 memorias ddrmhz (4gb) kingston kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components9us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)2 memorias ddrmhz (4gb) kingston kvr16lngb pc3l- cl-pin dimm description this document describes valueram (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components8us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~ v) • 800mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • 8-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 7this 240-pin dimm uses gold contact fingersthe electrical and mechanical specifications are as follows: features • jedec standard 15v (v ~ v) power supply • vddq = 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb height: mm) or mm)
$ 130000
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El spd está programado según el estándar jedec latencia ddr de a 1numero de serie: # kvr16ls11/4 - compatible con: * valueram portatil - descripción * este documento describe valueram de 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (dram síncrona), 1rx8, baja voltaje, módulo de memoria, basado en ocho 512m x 8-bit fbga componentes9us a 85 ° c- numero de serie: # kvr16ls11/4 - compatible con: * valueram portatil - descripción * este documento describe valueram de 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (dram síncrona), 1rx8, baja voltaje, módulo de memoria, basado en ocho 512m x 8-bit fbga componentes8us a menos de tcase 85 ° c, 3esta 204-pin sodimm utiliza dedos de contacto de oro5v (v ~ v) *800mhz fck para mb / seg / pin *8 bancos internos independientes *latencia de cas programable: *latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 *pre-extracción de 8 bits *longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin límite, secuencial con arranque dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4, lo que no permite leer o escribir [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs] *datos diferenciales bidireccionales strobe *auto (calibración interna): calibración interna a través del pin zq (rzq: 240 ohmios ± 1%) *terminación de la matriz con pin odt *periodo de actualización promedio 7el sistema eléctrico y las especificaciones mecánicas son las siguientes: * caracteristicas *norma jedec 15v (v ~ v) fuente de alimentación *vddq = 1
$ 141000
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!!! tipo: 204-pin ddr3 so-dimm capacidad: 8gb (2 x 4gb) velocidad: ddr mhz (pc) horarios: cl11 voltaje: 1compatible con todos los sistemas que son capaces de usar 4gb ddr mhz de palillos en cada ranura5v heatspreader: ninguno empaquetado: empaquetado con seguridad en bolsas antiestáticas kit de 8gb que consiste en módulos de notebook ddr3 de 4 gb (2) que funciona a velocidades de hasta mt/s y tiene una latencia cl11 8gb 2 x 4gb ddr mhz pc sodimm laptop memoria r descripción: a estrenar 8gb mhz dual channel kit (2 x 4gb) este es un ki de baja tensiónt de 2 x 4gbmódulos nota de pls: pic es sólo para la ilustracióncodigo: 8gb 2 x 4gb ddr mhz pc sodimm laptop memoria r descripción: a estrenar 8gb mhz dual channel kit (2 x 4gb) este es un ki de baja tensiónt de 2 x 4gbmódulos nota de pls: pic es sólo para la ilustracióngarantía de trabajar con apple macbook pro(core i7 solamente)es sin búfer y no eccse ajusta a la industria estándar sodimm diseño de página 204 pines y es compatible con ordenadores que tengan memoria ddr3 sodimmtambién es compatible con versiones anteriores a mhz - pcestructura de memoria de baja densidad con chips de 256 x 8, un estándar jedec, compatible con todos los nombre de marca de ordenadores portátiles y placas base de marca premiumactual aspecto de producto y marca pueden variar
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!!! tipo: 204-pin ddr3 so-dimm capacidad: 16gb (2 x 8gb) velocidad: ddr mhz (pc) horarios: cl11 voltaje: 1compatible con todos los sistemas que son capaces de usar 8gb ddr mhz de palillos en cada ranura5v heatspreader: ninguno empaquetado: empaquetado con seguridad en bolsas antiestáticas 16gb kit que consta de (2) módulos de notebook ddr3 de 8gb que funciona a velocidades de hasta mt/s y tiene una latencia cl11 16gb 2 x 8gb ddr mhz pc sodimm laptop memoria descripción: a estrenar 16gb mhz dual channel kit (2 x 8gb) este es un ki de baja tensiónt de 2 x 8gbmódulos nota de pls: pic es sólo para la ilustracióncodigo: 16gb 2 x 8gb ddr mhz pc sodimm laptop memoria descripción: a estrenar 16gb mhz dual channel kit (2 x 8gb) este es un ki de baja tensiónt de 2 x 8gbmódulos nota de pls: pic es sólo para la ilustracióntambién es al revés-compatible a mhz - pc como mhz - pcbaja densidad de la memoria hecha con chips de 512 x 8 dual die compatible con todos los nombre de marca de ordenadores portátiles y placas base de marca premiumes sin búfer y no eccse ajusta a la industria estándar sodimm diseño de página 204 pines y es compatible con ordenadores que tengan memoria ddr3 sodimmactual aspecto de producto y marca pueden variar
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!!! tipo: 204-pin ddr3 so-dimm capacidad: 8gb (2 x 4gb) velocidad: ddr mhz (pc) horarios: cl11 voltaje: 1compatible con todos los sistemas que son capaces de usar 4gb ddr mhz de palillos en cada ranura5v heatspreader: ninguno empaquetado: empaquetado con seguridad en bolsas antiestáticas kit de 8gb que consiste en módulos de notebook ddr3 de 4 gb (2) que funciona a velocidades de hasta mt/s y tiene una latencia cl11 8gb 2 x 4gb ddr mhz pc sodimm laptop memoria descripción: a estrenar 8gb mhz dual channel kit (2 x 4gb) este es un ki de baja tensiónt de 2 x 4gbmódulos nota de pls: pic es sólo para la ilustracióncodigo: 8gb 2 x 4gb ddr mhz pc sodimm laptop memoria descripción: a estrenar 8gb mhz dual channel kit (2 x 4gb) este es un ki de baja tensiónt de 2 x 4gbmódulos nota de pls: pic es sólo para la ilustracióngarantía de trabajar con apple macbook pro(core i7 solamente)es sin búfer y no eccse ajusta a la industria estándar sodimm diseño de página 204 pines y es compatible con ordenadores que tengan memoria ddr3 sodimmtambién es compatible con versiones anteriores a mhz - pcestructura de memoria de baja densidad con chips de 256 x 8, un estándar jedec, compatible con todos los nombre de marca de ordenadores portátiles y placas base de marca premiumactual aspecto de producto y marca pueden variar
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!!! tipo: 204-pin ddr3 so-dimm capacidad: 16gb (2 x 8gb) velocidad: ddr mhz (pc) horarios: cl11 voltaje: 1compatible con todos los sistemas que son capaces de usar 8gb ddr mhz de palillos en cada ranura5v heatspreader: ninguno empaquetado: empaquetado con seguridad en bolsas antiestáticas 16gb kit que consta de (2) módulos de notebook ddr3 de 8gb que funciona a velocidades de hasta mt/s y tiene una latencia cl11 16gb 2 x 8gb ddr mhz pc sodimm laptop memoria descripción: a estrenar 16gb mhz dual channel kit (2 x 8gb) este es un ki de baja tensiónt de 2 x 8gbmódulos nota de pls: pic es sólo para la ilustracióncodigo: 16gb 2 x 8gb ddr mhz pc sodimm laptop memoria descripción: a estrenar 16gb mhz dual channel kit (2 x 8gb) este es un ki de baja tensiónt de 2 x 8gbmódulos nota de pls: pic es sólo para la ilustracióngarantía de trabajar con apple macbook pro(core i7 solamente)es sin búfer y no eccse ajusta a la industria estándar sodimm diseño de página 204 pines y es compatible con ordenadores que tengan memoria ddr3 sodimmtambién es compatible con versiones anteriores a mhz - pcestructura de memoria de baja densidad con chips de 256 x 8, un estándar jedec, compatible con todos los nombre de marca de ordenadores portátiles y placas base de marca premiumactual aspecto de producto y marca pueden variar
$ 403990
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Specs are standard 1g x 64-bit (8gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram) 2rx8, low voltage, memory module, based on sixteen 512m x 8-bit ddr3 fbga componentsincluded in package is one 8gb module of mhz ddr3l non-ecc cl11 unbuffered memorykingston technology hyperx fury 8gb mhz ddr3l ! marca kingston technology descripcion del producto kingston is the industry leader in pc memoryb014r8jhxqkingston technology hyperx fury 8gb mhz ddr3l ! marca kingston technology descripcion del producto kingston is the industry leader in pc memoryyou want the highest performance and speed you need hyperx memory from kingstonthis module has been tested to run at ddr3l- at a low latency timing of at 1each module kit supports intel extreme memory profiles (intel xmp) 2our line of hyperx memory is ideal for pc enthusiasts and gamers
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) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5v) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentes descripción especificaciones este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 499us a 85 ° c •restablecido asincrónico •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizado) utiliza los dedos de contacto de oromemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorespecificaciones de módulos de memoria kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de piezaexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorla eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc características temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •1memoria ram ddr3 4gb kingston ael spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (mineste módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (min5v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas: •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%) •en terminación die usando pin odt •promedio 78us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 3mientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquícualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprar5v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 1
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