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8us a menos de tcase 85 掳 c, 3el spd est谩 programado seg煤n el est谩ndar jedec latencia ddr de a 15v (v ~ v) *800mhz fck para mb / seg / pin *8 bancos internos independientes *latencia de cas programable: *latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 *pre-extracci贸n de 8 bits *longitud de r谩faga: 8 (intercalado sin l铆mite, secuencial con arranque direcci贸n "000" solamente), 4 con tccd = 4, lo que no permite leer o escribir [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs] *datos diferenciales bidireccionales strobe *auto (calibraci贸n interna): calibraci贸n interna a trav茅s del pin zq (rzq: 240 ohmios 卤 1%) *terminaci贸n de la matriz con pin odt *periodo de actualizaci贸n promedio 79us a 85 掳 c- numero de serie: # kvr16ls11/4 - compatible con: * valueram portatil - descripci贸n * este documento describe valueram de 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (dram s铆ncrona), 1rx8, baja voltaje, m贸dulo de memoria, basado en ocho 512m x 8-bit fbga componentes5v (v ~ v) fuente de alimentaci贸n *vddq = 1esta 204-pin sodimm utiliza dedos de contacto de oronumero de serie: # kvr16ls11/4 - compatible con: * valueram portatil - descripci贸n * este documento describe valueram de 512m x 64 bits (4 gb) ddr3l- cl11 sdram (dram s铆ncrona), 1rx8, baja voltaje, m贸dulo de memoria, basado en ocho 512m x 8-bit fbga componentesel sistema el茅ctrico y las especificaciones mec谩nicas son las siguientes: * caracteristicas *norma jedec 1
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