Bc4

Listado bc4

  • Memoria Para Portatil Ddr4 16gb

    6v • on-die termination (odt) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno • bidireccional de datos diferencial strobe • longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) • altura mm) especificaciones codigo hx421s13ib/16 memoria pertatil capacidad una sola barra de 16 gb ddr6v • on-die termination (odt) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno • bidireccional de datos diferencial strobe • longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) • altura mm) especificaciones codigo hx421s13ib/16 memoria pertatil capacidad una sola barra de 16 gb ddrdescripción un solo módulo 16 gb - ddrmhz cl13 sodimmdescripción un solo módulo 16 gb - ddrmhz cl13 sodimm2v típico • vpp - 25v típico • vddspd = 2para portatil características caracteristicas • fuente de alimentación: vdd = 12v típico • vddq = 1

    $ 510000

  • Memoria Para Portatil Ddr4 16gb 2x8

    6v • on-die termination (odt) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno • bidireccional de datos diferencial strobe • 8 bits de solicitud previa • longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) • altura mm) cl (idd) 13 ciclos tiempo del ciclo de fila (tren) 46descripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bits) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrodescripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bits) tiempo de comandos (trfc min) fila active time (trasmin) 33ns (min  características caracteristicas • fuente de alimentación: vdd = 12v típico • vpp - 2) refrescar a active / refresh 260ns (min) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrola capacidad total es de 16 gb kitcada kit módulo de soportes intel® extreme memory profiles (xmp intel®) 2este módulo ha sido probado para funcionar a ddr en un tiempo de latencia baja de a 15v típico • vdd spd = 22v típico • vddq = 1

    $ 455000

  • Ram Kingston Technology Hyperx Fury Black 8 Gb Gamming

    6v • nominal and dynamic on-die termination (odt) for data, strobe, and mask signals • low-power auto self refresh (lpasr) • data bus inversion (dbi) for data bus • on-die vrefdq generation and calibration • single-rank • on-board i2 serial presence-detect (spd) eeprom • 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each • fixed burst chop (bc) of 4 and burst length (bl) of 8 via the mode register set (mrs) • selectable bc4 or bl8 on-the-fly (otf) • fly-by topology • terminated control command and address bus • height mm), w/o heatsink6v • nominal and dynamic on-die termination (odt) for data, strobe, and mask signals • low-power auto self refresh (lpasr) • data bus inversion (dbi) for data bus • on-die vrefdq generation and calibration • single-rank • on-board i2 serial presence-detect (spd) eeprom • 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each • fixed burst chop (bc) of 4 and burst length (bl) of 8 via the mode register set (mrs) • selectable bc4 or bl8 on-the-fly (otf) • fly-by topology • terminated control command and address bus • height mm), w/o heatsinkespectacular memoria ram de 8 gb kington de la serie hyperxespectacular memoria ram de 8 gb kington de la serie hyperx2v typical • vpp - 25v typical • vddspd = 2caracteristicas: • power supply: vdd = 1 mejora el rendimiento de tu pc con esta joya de las memorias2v typical • vddq = 1

    $ 168000

  • Memoria Pc3l-r 16gb 2x8gb Ddr3 Ecc Registered Servidor

    5v vddspd = 3,0 v a 3,6 v la funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos ddr3l sdram 8 bancos internos velocidades de transferencia de datos: pc3l-, pc3l- bidireccional de datos diferencial strobe 8 bits de solicitud previa longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) es compatible con la corrección de errores ecc y detección on-die termination (odt) sensor de temperatura integrado con el spd este producto está en conformidad con la directiva rohs capacidad 8gb por modulo5v vddspd = 3,0 v a 3,6 v la funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos ddr3l sdram 8 bancos internos velocidades de transferencia de datos: pc3l-, pc3l- bidireccional de datos diferencial strobe 8 bits de solicitud previa longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) es compatible con la corrección de errores ecc y detección on-die termination (odt) sensor de temperatura integrado con el spd este producto está en conformidad con la directiva rohs capacidad 8gb por modulomemoria para servidor pc3l-r 16gb 2x8gb ddr3 ecc registered carcteristicas: fuente de alimentación: vdd = 1,35 v (v a 145v) compatible con los módulos de memoria ddr3 de 145v) vddq = 1,35 v (v a 1memoria para servidor pc3l-r 16gb 2x8gb ddr3 ecc registered carcteristicas: fuente de alimentación: vdd = 1,35 v (v a 1

    $ 168900

  • Memoria Para Portatil Ddr4 16gb 2x8

    6v • on-die termination (odt) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno • bidireccional de datos diferencial strobe • 8 bits de solicitud previa • longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) • altura mm) cl (idd) 13 ciclos tiempo del ciclo de fila (tren) 46) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c       especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrodescripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bits) tiempo de comandos (trfc min) fila active time (trasmin) 33ns (min) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c       especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrodescripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bits2v típico • vpp - 2características caracteristicas • fuente de alimentación: vdd = 1) refrescar a active / refresh 260ns (minla capacidad total es de 16 gb kitcada kit módulo de soportes intel® extreme memory profiles (xmp intel®) 2este módulo ha sido probado para funcionar a ddr en un tiempo de latencia baja de a 15v típico • vdd spd = 22v típico • vddq = 1

    $ 455000

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