Memoria ram de 4gb almacenamiento

Listado memoria ram de 4gb almacenamiento

  • memoria ram de 4gb ddrmemoria ram de 4gb ddrel procesador tiene que tomar los datos y las instrucciones de ella para poder funcionarpor este motivo, se han creado distintos  niveles jerárquicos de memoriaestos tres niveles están integrados en el procesador, mientras que el siguiente, la ram, está fuera, en forma de módulos de memoriaahora bien, a las velocidades a las que trabaja éste, la memoria de la cual toma los datos y las instrucciones tiene que ser ultrarrápidala caché de nivel dos,  l2, ya pasa a ser de más de 100 kbytes, con hasta 256 o 512 kbytesla  l1 es ultrarrápida y muy cara, y por eso no pasa de unas decenas de kbytesla de nivel 3 o  l3  se desenvuelve con varios «megas», de hasta 16 mbyteso, lo que es lo mismo, ultracaraen  sandy bridge  es de 64 kbytes dividida en 32 kbytes para datos y 32 para instruccionesel procesador tiene que tomar los datos y las instrucciones de ella para poder funcionarla más rápida y cercana al procesador es la  caché, con niveles 1, 2 y hasta 3

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  • memoria ram ddr3 4gb kingston amemoria ram ddr3 4gb kingston a excelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del compradorespecificaciones de módulos de memoria   kvrd3n9 / 4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm     información importante: el módulo se define en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles bajo este número de pieza  descripción especificaciones   este documento describe 512m x 64 bits de valueram (4gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), memoria 2rx8 cl (idd) 9 ciclos fila tiempo de ciclo (trcmin) 49la eléctrica y mecánica potencia de funcionamiento máxima w * especificaciones son las siguientes: ul clasificación 94 v - 0   temperatura de funcionamiento 0oc a 85oc características temperatura de almacenamiento -55oc a 100oc •1cualquier inquietud pregunte antes de dar en el boton comprarel spd se programa con la norma jedec actualizar a active / refresh tiempo comando (trfcmin) 160ns (min) latencia ddr momento de 9-9-9 a 1,5v8us período actualizar en baja que tcase 85 ° c, 35v (v ~ v) •fck 667mhz para mb / s / pin •8 bancaria interna independiente •programable latencia cas:   •programable aditivo latencia: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj •programable cas escribe latencia (cwl) = 7 (ddr bits pre-fetch •longitud de rotura: 8 (interleave sin ningún límite, secuencial con el inicio de la dirección "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permite lectura sin fisuras ni escribir [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] •bi-direccional de datos diferencial strobe •interna (auto) de calibración: autocalibración interna a través zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%)   •en terminación die usando pin odt •promedio 7este módulo dimm de 240 pines fila active time (trasmin) 36ns (min) módulo, basado en dieciséis 256m x 8 bits ddr fbga componentesmientras que todas las configuraciones son compatibles, la combinación dram y / o la altura del módulo pueden variar de lo que se describe aquí9us a 85 ° c   •restablecido asincrónico   •pcb: altura mm), doble componente caras * power variará dependiendo de la sdram utilizadoexcelente estado, desde que se compró solo se ensayó para verificar funcionamiento, envio a cargo del comprador5v estándar jedec (v ~ v) fuente de alimentación •vddq = 1) utiliza los dedos de contacto de oro

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