Memoria 16 gb ddr4
Listado memoria 16 gb ddr4
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Incluye: -cargador marca sony + cable de datos -audÃfonos originales -llave maestra (anilla) -memoria interna de 16 gb con opción expandiblesamsung galaxy a3cámara trasera de 13mpx y trasera de 8 mpx*hace un par de dÃas, el display y la baterÃa se le cambiaroncolor azul y rotulo de pantalla dorado
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La capacidad total es de 16 gb kit) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negro) potencia máxima de funcionamiento tbd w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55 ° c a + 100 ° c especificaciones memoria interna 16 gb tipo de memoria ddr4 velocidad de memoria cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, memory module componente portatil color negrodescripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bitsdescripción descripción hyperx hx421s13ibk2 / 16 es un kit de dos 1g x 64 bits (8 gb) ddr cl13 sdram (synchronous dram) 2rx8, la memoria módulos, basado en los componentes ddr4 fbga dieciséis 512m x 8 bits6v • on-die termination (odt) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno • bidireccional de datos diferencial strobe • 8 bits de solicitud previa • longitud de ráfaga (bl) interruptor en la marcha bl8 o bc4 (burst chop) • altura mm) cl (idd) 13 ciclos tiempo del ciclo de fila (tren) 46este módulo ha sido probado para funcionar a ddr en un tiempo de latencia baja de a 1cada kit módulo de soportes intel® extreme memory profiles (xmp intel®) 25v tÃpico • vdd spd = 2) refrescar a active / refresh 260ns (min caracterÃsticas caracteristicas • fuente de alimentación: vdd = 12v tÃpico • vpp - 2) tiempo de comandos (trfc min) fila active time (trasmin) 33ns (min2v tÃpico • vddq = 1
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